Как технология нового поколения в области сложных полупроводников, GaAs (арсенид галлия) и GaN (нитрид галлия) быстро находят применение в радиочастотных устройствах с высокими требованиями к производительности. Опираясь на передовые и стабильные технологические линии GaAs и GaN в стране и за рубежом, ZONKY обладает мощными возможностями по проектированию, разработке и массовому производству продуктов в диапазоне частот DC-110G, таких как малошумящие усилители, сверхширокополосные усилители мощности, высоколинейные усилители мощности, а также высокомощные GaN-кристаллы, высокомощные внутренние согласованные трубчатые усилители (IMFET), фазовые сдвигатели, частотные умножители, смесители, VCO и других микроволновых и миллиметровых интегральных микросхем.