碳化硅IGBT

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是工业应用中最常用的电力电子器件,能够快速切换电流,从而实现低开关损耗。ZONKY的IGBT采用碳化硅(SiC)技术。与常用的硅(Si)相比,SiC器件在高压功率半导体领域具有诸多优势。ZONKY的碳化硅半导体产品具备快速开关速度、低正向压降和温度稳定性,可满足各类大功率及高压应用需求。我们精选的SiC肖特基势垒二极管和SiC MOSFET产品兼具坚固耐用、可靠性高及宽禁带等特性,是可再生能源系统和工业自动化领域的理想选择。
ZONKY 的 IGBT 产品组合提供种类繁多的器件,可广泛应用于汽车、牵引、能源传输、工业及消费类系统领域。这些解决方案在正向导通和截止状态下功耗极低,仅需较低的驱动功率,且效率极高。请从 ZONKY 丰富的产品组合中选择最适合您需求的 IGBT 解决方案。
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Collector-Emitter Voltage VCE (V)
DC Collector Current IC (A)
RDS(ON) mΩ
RthJC (K/W)
1200
360
3.6
0.1
1700
500
3.5
0.057
1200
600
2
0.065
750
800
1.4
0.073
1200
120
8
0.23
1200
200
5.3
0.16
1200
150
8
0.23
1200
300
4
0.12
1200
450
2.8
0.078
1700
200
8.8
0.11
1700
300
5.8
0.073
1200
150
8
0.23
1200
300
4
0.12
1200
450
2.8
0.078
1200
600
2
0.065
1700
200
8.8
0.11
1700
300
5.8
0.073
1700
400
4.4
0.065
1200
80
20
0.43
1200
120
13.5
0.29
1200
150
8
0.31
1200
150
8
0.31
1200
225
5.3
0.21
1200
300
4
0.15
750
200
6
0.31
750
300
4
0.21
1200
120
8
0.23
1200
200
5.3
0.16
1200
150
8
0.23
1200
300
4
0.12
1200
450
2.8
0.078
1700
200
8.8
0.11
1700
300
5.8
0.073
1200
150
8
0.23
1200
300
4
0.12
1200
450
2.8
0.078
1200
600
2
0.065
1700
200
8.8
0.11
1700
300
5.8
0.073
1700
400
4.4
0.065
1700
500
3.5
0.057