Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) являются наиболее используемыми силовыми электронными компонентами в промышленных приложениях, обеспечивая быстрое переключение электрического тока для достижения низких потерь при переключении. IGBT от ZONKY используют технологию карбида кремния (SiC). Устройства SiC обладают рядом привлекательных характеристик для высоковольтных силовых полупроводников по сравнению с широко используемым кремнием (Si). Полупроводники ZONKY на основе карбида кремния обеспечивают высокую скорость переключения, низкий прямой падение напряжения и температурную стабильность, что позволяет использовать их в различных высокомощных и высоковольтных приложениях. Наш ассортимент диодов Шоттки на основе SiC и MOSFET на основе SiC отличается прочностью, надежностью и более широкой запрещенной зоной, что делает их идеальным выбором для систем возобновляемой энергии и промышленной автоматизации.
Ассортимент IGBT-продуктов ZONKY включает широкий спектр различных устройств для широкого диапазона применений в автомобильной, тяговой, энергетической, промышленной и бытовой технике. Эти решения обеспечивают очень низкие потери мощности в прямом и обратном состоянии, требуют низкой мощности привода и имеют высокий КПД. Выберите подходящее решение IGBT для ваших нужд из обширного ассортимента ZONKY.